ГОСТ 19658-81 «Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия» (с Изменениями № 1, 2).

ГОСТ 19658-81

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

КРЕМНИЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ В СЛИТКАХ
Технические условия

Monocrystalline silicon in ingots. Specifications

Содержание

1. Технические требования

2. Правила приемки

3. Методы контроля

4. Упаковка, маркировка, транспортирование и хранение

5. Гарантии изготовителя

Приложение 1a (обязательное)

Приложение 1 (обязательное). Определение монокристалличности и отсутствия внешних дефектов на поверхности слитков кремния

Приложение 2 (обязательное). Определение типа электропроводности

Приложение 3 (обязательное). Измерение удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом

Приложение 4 (обязательное). Определение плотности дислокации в монокристаллических слитках кремния

Приложение 5 (обязательное). Измерение угла отклонения плоскости торцевого среза монокристаллического слитка кремния от заданной кристаллографической плоскости и идентификация кристаллографической ориентации плоскости торцевого среза слитка с заданной кристаллографической плоскостью рентгеновским дифрактометрическим методом

Приложение 6 (обязательное). Определение угла отклонения плоскости торцевого среза от заданной кристаллографической плоскости слитков монокристаллического кремния оптическим методом

Приложение 7 (обязательное). Измерение концентрации атомов оптически активного кислорода в слитках монокристаллического кремния

Приложение 8 (обязательное). Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда (н.н.з.) в слитках монокристаллического кремния методом модуляции проводимости в точечном контакте

Приложение 8а (обязательное). Измерение концентрации атомов оптически активного углерода в слитках монокристаллического кремния

Приложение 9 (обязательное). Контроль наличия свирлевых дефектов в бездислокационных слитках монокристаллического кремния

Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл - диэлектрик - полупроводник.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

1. ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ

1.1. Слитки монокристаллического кремния изготовляют в соответствии с требованиями настоящего стандарта дырочного типа электропроводности (Д), легированные бором (Б), и электронного типа электропроводности (Э), легированные фосфором (Ф) или сурьмой (С), бездислокационные (с плотностью дислокаций не более 1·10¹ см^-2) по технологической документации.

При оформлении документации с применением печатающих и автоматизированных устройств индексы дополнительных требований в наименовании марок необходимо печатать в соответствии с требованиями ГОСТ 2.004.

Слитки монокристаллического кремния должны соответствовать требованиям, указанным в таблице.

Таблица