ГОСТ 8.592-2009 «Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона из монокристаллического кремния. Требования к геометрическим формам, линейным размерам. и выбору материала для изготовления»

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СОВЕТ ПО СТАНДАРТИЗАЦИИ, МЕТРОЛОГИИ И СЕРТИФИКАЦИИ
(МГС)

INTERSTATE COUNCIL FOR STANDARDIZATION, METROLOGY AND CERTIFICATION
(ISC)

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ГОСТ 8.592-2009

«Государственная система обеспечения единства измерений.
Меры рельефные нанометрового диапазона из монокристаллического кремния.
Требования к геометрическим формам, линейным размерам.
и выбору материала для изготовления»

 

State system for ensuring the uniformity of measurements.

Single-crystal silicon nanometer range relief measures.

Geometrical shapes, linear size and manufacturing material requirements

 

 

Содержание

 

1 Область применения

2 Нормативные ссылки

3 Термины и определения

4 Геометрические формы и линейные размеры элементов рельефа

5 Требования к материалу для изготовления рельефной меры

Приложение А (справочное) Технологический процесс изготовления рельефной меры с использованием анизотропного травления

Библиография

 

 

Введение

 

Для проведения линейных измерений в диапазоне от 10-9 до 10-6 м используют растровые электронные или сканирующие зондовые атомно-силовые микроскопы (далее - микроскопы). Для их поверки и калибровки применяют материальные носители единицы длины (далее - меры), размеры элементов которых определяют, используя стабилизированное по частоте лазерное излучение. Длину волны лазерного излучения поверяют с помощью эталона длины.

На практике в качестве мер применяют рельефные меры нанометрового диапазона (далее - рельефные меры), представляющие собой пластину из монокристаллического кремния, на поверхности которой сформированы элементы рельефа определенной геометрической формы с размерами основных элементов не более 10-6 м.

В основе технологического процесса создания рельефных мер лежит использование анизотропного травления монокристаллического кремния: скорость травления в направлении одной из кристаллографических плоскостей в кристаллической структуре кремния в несколько тысяч раз превышает скорость травления в направлении другой кристаллографической плоскости. Угол между кристаллографическими плоскостями определен кристаллической структурой кремния. В результате формируются пространственные геометрические фигуры с известным углом наклона между боковыми стенками и основаниями. Ориентацию рабочей поверхности пластины, на которой формируются элементы рельефа, определяют рентгеновским дифракционным методом по методике, установленной в ГОСТ 19658-81 «Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия».

Настоящий стандарт устанавливает требования к геометрическим формам и линейным размерам, а также к выбору материала для изготовления рельефных мер нанометрового диапазона из монокристаллического кремния. Рельефные меры могут быть изготовлены с трапецеидальным профилем элементов рельефа. Методика их поверки установлена в ГОСТ 8.591-2009, а применение для целей поверки микроскопов установлено:

- для растровых электронных микроскопов - в ГОСТ 8.594-2009;

Для того, чтобы получить доступ к документу, Вам нужно перейти по кнопке Войти и ввести логин и пароль.
Если у вас нет логина и пароля, зарегистрируйтесь.